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二維損耗和色散介質(zhì)光子晶體傳輸特性的研究
將傳輸矩陣法(TMM)用于光子晶體傳輸特性的研究,采用Mur近似吸收邊界和周期邊界來截斷計算區(qū)域,計算了以TM模正入射時,二維方格子光子晶體在完整周期結(jié)構(gòu)下的透過率譜;在微波波段制作了光子晶體模型,并設(shè)計了實驗裝置,實驗與數(shù)值模擬計算結(jié)果相符合;另外還研究了有損介質(zhì)光子晶體、色散和吸收介質(zhì)光子晶體的傳輸特性,及其對光子禁帶的影響.
作 者: 梅洛勤 曾淳 葉衛(wèi)民 袁曉東 朱志宏 張晚云 王華 作者單位: 國防科技大學(xué)理學(xué)院,湖南,長沙,410073 刊 名: 國防科技大學(xué)學(xué)報 ISTIC EI PKU 英文刊名: JOURNAL OF NATIONAL UNIVERSITY OF DEFENSE TECHNOLOGY 年,卷(期): 2004 26(1) 分類號: O436 關(guān)鍵詞: 光子晶體 光子禁帶 傳輸矩陣法 吸收邊界 透射譜【二維損耗和色散介質(zhì)光子晶體傳輸特性的研究】相關(guān)文章:
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