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銀和銅膜中異常晶粒生長和織構(gòu)變化的實驗研究
用透射電子顯微鏡(TEM)和x射線衍射(XRD)方法對經(jīng)300℃,2h退火的Ag和Cu自由膜和Si基體上的Ag和Cu附著膜的異常晶粒生長和織構(gòu)變化進(jìn)行了實驗研究.XRD分析表明:Ag和Cu沉積膜均有(111)和(100)擇優(yōu)取向.但經(jīng)退火處理后,Ag和Cu自由膜的(111)織構(gòu)稍有加強.相反,Si基體上的Ag和Cu附著膜的(100)和(110)織構(gòu)明顯加強,同時用TEM在Cu附著膜中觀察到了兩個(110)和四個(211)取向的異常大晶粒.根據(jù)表面能和應(yīng)變能的各向異性對實驗結(jié)果進(jìn)行了分析.
徐可為(西安交通大學(xué)金屬材料強度國家重點實驗室,西安,710049)
刊 名： 物理學(xué)報 ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA 年，卷(期)： 2003 52(1) 分類號： O4 關(guān)鍵詞： 薄膜 晶粒生長,織構(gòu) 實驗【銀和銅膜中異常晶粒生長和織構(gòu)變化的實驗研究】相關(guān)文章：
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