堇青石基體化學(xué)氣相沉積碳化硅薄膜及其性能表征

采用等溫等壓化學(xué)氣相沉積技術(shù),分別以CH3SiCl3-H2和SiCl4-CH4-H2為氣源,在沉積溫度1100和1000℃、壓力101kPa條件下,制備了SiC薄膜.利用SEM和XRD、顯微拉曼光譜、EDAX元素分析、HRTEM等測(cè)試技術(shù)對(duì)沉積薄膜的結(jié)構(gòu)和組成進(jìn)行了表征.結(jié)果表明,1100℃時(shí),以CH3SiCl3-H2為氣源沉積得到純凈的SiC薄膜,以β-SiC(111)面擇優(yōu)定向生長(zhǎng),由微米級(jí)的金字塔錐形結(jié)構(gòu)組成,硅含量隨著沉積溫度降低而增加;以SiCl4-CH4-H2為氣源沉積得到非晶態(tài)碳摻雜的SiC薄膜,碳含量隨著沉積溫度降低而增加此外,以CH3SiCl3-H2為氣源沉積的SiC顆粒平均粒徑均比以SiCl4-CH4-H2為氣源的粒徑大.前者SiC薄膜的方塊電阻在kΩ級(jí)以上,且隨著沉積溫度的下降急劇升高;后者1100℃時(shí)制備的薄膜的方塊電阻在kΩ級(jí)以上,且隨著沉積溫度的降低而急劇下降,1000℃時(shí)降低到Ω級(jí).

作 者： 尹博文 楊艷 馬兵 張偉剛 YIN Bo-wen YANG Yan MA Bing ZHANG Wei-gang   作者單位： 尹博文,楊艷,YIN Bo-wen,YANG Yan(中國(guó)科學(xué)院過(guò)程工程研究所多相復(fù)雜系統(tǒng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京100190;中國(guó)科學(xué)院研究生院,北京100049)

馬兵,張偉剛,MA Bing,ZHANG Wei-gang(中國(guó)科學(xué)院過(guò)程工程研究所多相復(fù)雜系統(tǒng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京,100190) 

刊 名： 過(guò)程工程學(xué)報(bào)  ISTIC PKU 英文刊名： THE CHINESE JOURNAL OF PROCESS ENGINEERING  年，卷(期)： 2008 8(3)  分類號(hào)： O484  關(guān)鍵詞： 化學(xué)氣相沉積   β-SiC   堇青石   表征  

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