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金屬環(huán)境中低能D(d, p)T反應(yīng)的研究
近年來一系列實驗表明,金屬環(huán)境中的低能帶電粒子引起的核反應(yīng)截面與氣體靶中的相比出現(xiàn)明顯增大,這種現(xiàn)象通常被歸結(jié)為電子屏蔽效應(yīng). 全面介紹了金屬環(huán)境中D(d, p)T反應(yīng)電子屏蔽效應(yīng)的測量方法、數(shù)據(jù)分析和實驗結(jié)果的規(guī)律性,并簡要論述了包括德拜等離子體模型在內(nèi)的各種理論模型對實驗結(jié)果的解釋. 通過研究,可以獲得有關(guān)核物理、核天體物理和凝聚態(tài)物理的寶貴知識.
作 者: 呂會議 王鐵山 陳建勇 楊振 劉盛進 方開洪 Lü Hui-yi WANG Tie-shan CHEN Jian-yong YANG Zhen LIU Sheng-jin FANG Kai-hong 作者單位: 蘭州大學(xué)核科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,甘肅,蘭州,730000 刊 名: 原子核物理評論 ISTIC PKU 英文刊名: NUCLEAR PHYSICS REVIEW 年,卷(期): 2008 25(3) 分類號: O571.4 關(guān)鍵詞: 低能核反應(yīng) 電子屏蔽效應(yīng) 德拜模型【金屬環(huán)境中低能D(d, p)T反應(yīng)的研究】相關(guān)文章:
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