碲鋅鎘單晶片的退火方法

探索了一種Cd1-xZnxTe(CZT)探測(cè)器晶片退火的新裝置和新方法,該裝置可以方便有效的對(duì)CZT單晶片進(jìn)行同組分源退火研究.利用XRD、紅外透射譜和晶體電阻率表征了采用該裝置在富Cd的同組分CZT粉末源包裹下,選擇適宜的退火溫度和時(shí)間進(jìn)行退火后的CZT單晶片,晶片的電阻率有一定的提高,紅外透過(guò)率有一定改善.XRD分析表明,經(jīng)過(guò)退火后,CZT單晶片中的cd組分含量有一定增加.采用該方法退火后,晶體品質(zhì)有一定提高.

作 者： 高德友 趙北君 朱世富 唐世紅 何知宇 張冬敏 方軍 程曦 GAO De-you ZHAO Bei-jun ZHU Shi-fu TANG Shi-hong HE Zhi-yu ZhANG Dong-min FANG Jun CHENG Xi   作者單位： 四川大學(xué)材料科學(xué)系,成都,610064  刊 名： 功能材料與器件學(xué)報(bào)  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES  年，卷(期)： 2008 14(3)  分類號(hào)： O738  關(guān)鍵詞： 碲鋅鎘單晶片   退火   電阻率   XRD   紅外透射譜  

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