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nc-Si/SiO2多層膜的制備及藍(lán)光發(fā)射
在等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積(PECVD)系統(tǒng)中,采用a-Si∶H層淀積與原位等離子體氧化相結(jié)合的逐層生長的方法成功制備出a-Si∶H/SiO2多層膜 (ML);利用限制性結(jié)晶原理通過兩步退火處理使a-Si∶H層晶化獲得尺寸可控的nc-Si/SiO2 ML,并觀察到室溫下的藍(lán)光發(fā)射;結(jié)合Raman散射和剖面透射電子顯微鏡技術(shù)分析了nc-Si/SiO2 ML的結(jié)構(gòu)特性;通過對晶化樣品光致發(fā)光譜和紫外-可見光吸收譜的研究,探討了藍(lán)光發(fā)射的起源.
作 者： 隋妍萍 馬忠元 陳坤基 李偉 徐駿 黃信凡 作者單位： 南京大學(xué)物理系,固體微結(jié)構(gòu)物理國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,南京,210093 刊 名： 物理學(xué)報(bào) ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA 年，卷(期)： 2003 52(4) 分類號： O4 關(guān)鍵詞： 納米硅多層膜 等離子體氧化 藍(lán)光發(fā)射 熱退火【nc-Si/SiO2多層膜的制備及藍(lán)光發(fā)射】相關(guān)文章：
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