鹵化銀晶體中的光電子特性

本文采用微波吸收相敏檢測(cè)技術(shù),得到了鹵化銀微晶的自由光電子與淺束縛光電子的產(chǎn)生與衰減曲線,對(duì)比光電子產(chǎn)生量與激發(fā)光強(qiáng)之間的關(guān)系,驗(yàn)證了Gurney-Mott理論的光吸收過(guò)程,分析了不同類型鹵化銀材料中光電子的衰減特性,討論了鹵化銀微晶中光電子行為對(duì)其感光性能的影響.

作 者： 劉志強(qiáng) 李新政 楊少鵬 董國(guó)義 李曉葦 韓理   作者單位： 河北大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,保定,071002  刊 名： 人工晶體學(xué)報(bào)  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS  年，卷(期)： 2003 32(4)  分類號(hào)： O731  關(guān)鍵詞： 鹵化銀微晶   微波吸收   相敏檢測(cè)技術(shù)   光電子  

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