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15.14 MeV/u 136 Xe離子引起的單粒子效應(yīng)
研究了15.14MeV/u 136 Xe離子在不同批次的32k×8bits靜態(tài)存儲器中所引起的單粒子效應(yīng). 獲得了單粒子翻轉(zhuǎn)和單粒子閉鎖截面與入射角度的依賴關(guān)系. 將單粒子效應(yīng)截面與靈敏區(qū)中沉積的能量相聯(lián)系,而不是線性能量轉(zhuǎn)移(LET)值. 估計了靈敏體積的深度和死層的厚度.
作 者： 侯明東 張慶祥 劉杰 王志光 金運范 朱智勇 甄紅樓 劉昌龍 陳曉曦 衛(wèi)新國 張琳 樊友誠 祝周榮 張弋艇 作者單位： 侯明東,張慶祥,劉杰,王志光,金運范,朱智勇,甄紅樓,劉昌龍,陳曉曦(中國科學(xué)院近代物理研究所,蘭州,730000)衛(wèi)新國,張琳,樊友誠,祝周榮,張弋艇(中國航科集團航天計算機研究所,上海,200050)
刊 名： 高能物理與核物理 ISTIC SCI PKU 英文刊名： HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS 年，卷(期)： 2002 26(9) 分類號： O57 關(guān)鍵詞： 單粒子翻轉(zhuǎn) 單粒子閉鎖 靜態(tài)存儲器 single event upset single event latchup SRAM【15.14 MeV/u 136 Xe離子引起的單粒子效應(yīng)】相關(guān)文章：
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