ZnTe:Cu多晶薄膜結(jié)構(gòu)和電性質(zhì)

用共蒸發(fā)法在室溫下制備了ZnTe:Cu多晶薄膜,利用XRD、AFM和XPS等測試技術(shù)對樣品進行了表征,研究了摻Cu濃度和退火溫度對薄膜物相和晶粒度的影響,分析了薄膜表面的元素狀態(tài).根據(jù)銅離子的變價行為對異常的電阻率溫度關(guān)系作了解釋.并確定了最佳摻銅濃度和退火溫度.

作 者： 吳曉麗 鄭家貴 郝瑞英 馮良桓 蔡偉 蔡亞平 張靜全 黎兵 李衛(wèi) 武莉莉 WU Xiao-li ZHENG Jia-gui HAO Rui-ying FENG Liang-huan CAI Wei CAI Ya-ping ZHANG Jing-quan LI Bing LI Wei WU Li-li   作者單位： 四川大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,成都,610064  刊 名： 功能材料與器件學(xué)報  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES  年，卷(期)： 2007 13(6)  分類號： O484  關(guān)鍵詞： ZnTe:Cu多晶薄膜   共蒸發(fā)系統(tǒng)   結(jié)構(gòu)   電阻率～溫度   ZnTe:Cu polycrystalline thin films   co-evaporation system   structure   p～T  

【ZnTe:Cu多晶薄膜結(jié)構(gòu)和電性質(zhì)】相關(guān)文章：

射頻濺射ZnO薄膜的晶體結(jié)構(gòu)和電學(xué)性質(zhì)04-28

低壓MOCVD生長TiO2薄膜結(jié)構(gòu)和電性能研究04-29

熱處理對氧化鎢薄膜結(jié)構(gòu)和電致變色性能的影響04-26

實時斜離子轟擊對Co-Cu合金薄膜結(jié)構(gòu)和磁各向異性影響04-26

硅襯底上Zn1-xMgxO薄膜的結(jié)構(gòu)與光學(xué)性質(zhì)04-26

多晶硅納米薄膜電學(xué)特性的實驗研究04-28

脈沖準(zhǔn)分子激光沉積納米WO3多晶電致變色薄膜的研究04-27

4H-SiC納米薄膜的微結(jié)構(gòu)及其光電性質(zhì)研究04-27

氟摻雜的氧化鋅薄膜的結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性04-27

紅麻對Cu和Cu-EDDS的吸收和富集04-28