靜電場對硫酸鈣結(jié)晶的影響及計算機模擬

實驗在水浴加熱和水浴加熱附加靜電場兩種條件下,對基本相同的結(jié)晶條件(溫升速率,過飽和度,水動力學(xué)等)下得到硫酸鈣晶體利用掃描電鏡(SEM)進行了表征和分析.分析結(jié)果顯示:在基本相同結(jié)晶條件下,水浴加熱附加靜電場與僅水浴加熱下生成的硫酸鈣晶體的形貌相比,有所增大.我們從水的內(nèi)能與結(jié)晶形貌的關(guān)系出發(fā),利用蒙特卡羅(MC)方法對靜電場作用下的結(jié)晶情況進行了初步的分子模擬,解釋了這一特殊現(xiàn)象.該分析結(jié)果可用于指導(dǎo)水溶液中生長晶體,外加一定強度的靜電場可能得到更大更完整的晶體.

作 者： 王照倫 楊曉慶 WANG Zhao-lun YANG Xiao-qing   作者單位： 四川大學(xué)電子信息學(xué)院,成都,610064  刊 名： 四川大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版）  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF SICHUAN UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)  年，卷(期)： 2007 44(5)  分類號： O74 TP3  關(guān)鍵詞： 靜電場   硫酸鈣晶體   形貌   蒙特卡羅方法  

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