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金屬硫族化合物[Ni(en)3](Hen)SbSe4,[Sb(en)3]

時間:2023-04-28 02:32:23 數(shù)理化學(xué)論文 我要投稿
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金屬硫族化合物[Ni(en)3](Hen)SbSe4,[Sb(en)3]In3Te7的溶劑熱生長及晶體結(jié)構(gòu)

以溶劑熱生長技術(shù)(Solvothermal technique)在180 C下以氯化物與具有氧化性的M 2Q(M=K,Rb;Q=Te,Se)反應(yīng),制備出新的硫族化合物[Ni(en)3](Hen)SbSe4(1),[Sb(en)3]In3Te7(2).化合物1的陽離子基團為過渡金屬Ni與乙二胺(en)的配合物[Ni(en)3]2+及質(zhì)子化的[Hen]+陽離子,陰離子基團為具有分立結(jié)構(gòu)的[SbSe4]3-.化合物2的陽離子基團為[Sb(en)3]3+,陰離子基團為具有二維結(jié)構(gòu)的2∞[In3Te7]3-.單晶X射線衍射結(jié)果表明,晶體1屬三斜晶系,P1空間群,晶胞數(shù)據(jù)a=0.881 43(18)nm,b=0.962 35(19)nm,c=1.427 8(3)nm,α=104.74(3)°,β=92.47(3)°,γ=109.55(3)°,V=1.092 7(4)nm3,Z=2.晶體2屬單斜晶系,P21/c空間群,晶胞數(shù)據(jù):a=1.069 1(2)nm,b=1.693 2(3)nm,c=1.515 2(3)nm,α=90°,β=94.86(3)°,γ=90°.V=2.732 8(9)nm3,Z=4.

作 者: 陳震 陳日耀 鄭曦 蘭瑞芳 林智虹 黃子祥 吳鏘金   作者單位: 陳震,陳日耀,鄭曦,蘭瑞芳,林智虹(福建師范大學(xué)實驗中心,福州,350007)

黃子祥,吳鏘金(中國科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所,福州,350002) 

刊 名: 高等學(xué)校化學(xué)學(xué)報  ISTIC SCI PKU 英文刊名: CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES  年,卷(期): 2001 22(11)  分類號:   關(guān)鍵詞: 硫族化合物   晶體結(jié)構(gòu)   溶劑熱生長  

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