γ-LiAlO2晶體的生長缺陷研究

γ-LiAlO2晶體是一種非常有前途的GaN襯底材料,本文利用化學腐蝕光學顯微術(shù)和同步輻射X射線形貌術(shù)研究了LiAlO2晶體的缺陷.結(jié)果表明,提拉法生長的γ-LiAlO2晶體中的缺陷主要為位錯、包裹物和亞晶界.并發(fā)現(xiàn)在其(100)晶片上的腐蝕形貌兩面有較大差異.

作 者： 楊衛(wèi)橋 干福熹 鄧佩珍 徐軍 李杼智 蔣成勇   作者單位： 中國科學院上海光學精密機械研究所,上海,201800  刊 名： 人工晶體學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS  年，卷(期)： 2002 31(6)  分類號： O774  關(guān)鍵詞： γ-LiAlO2晶體   缺陷   位錯   同步輻射X射線形貌術(shù)   GaN襯底  

【γ-LiAlO2晶體的生長缺陷研究】相關(guān)文章：

關(guān)于缺陷作文12-02

正視缺陷的作文09-02

面對缺陷作文07-06

面對缺陷作文05-15

缺陷之美作文08-05

缺陷美作文10-07

認識缺陷高中作文12-02

面對缺陷作文（精選20篇）01-03

綠豆的生長作文04-29

綠豆生長作文12-16