含磷組分薄膜對(duì)InGaAsP/InP多量子阱無(wú)序處理的影響?

報(bào)道了采用不同的電介質(zhì)薄膜SiO2、SiOxNy、Si3N4和SiOxPyNz及其組合用于InGaAsP/InP多量子阱材料的包封源.在高純氮?dú)獗Ｗo(hù)下經(jīng)850℃、7s的快速退火處理,結(jié)果發(fā)現(xiàn):含磷組分SiOxPyNz電介質(zhì)薄膜包封下的InGaAsP/InP量子阱帶隙展寬十分顯著,高達(dá)224meV,PL譜峰值波長(zhǎng)藍(lán)移342nm,半寬較窄僅為25nm,說(shuō)明量子阱性能保持十分良好,并對(duì)此現(xiàn)象的成因做了初步分析.

作 者： 王永晨 張曉丹 趙杰 殷景志 楊樹(shù)人 張淑云   作者單位： 王永晨,張曉丹,趙杰(天津師范大學(xué)物理系,天津,300074)

殷景志,楊樹(shù)人(吉林大學(xué)電子工程系,長(zhǎng)春,130023)

張淑云(天津第四半導(dǎo)體器件廠,天津,300111) 

刊 名： 半導(dǎo)體學(xué)報(bào)  ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS  年，卷(期)： 2002 23(3)  分類號(hào)： O47  關(guān)鍵詞： 量子阱混合互擴(kuò)   無(wú)雜質(zhì)空位擴(kuò)散   等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積  

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