Mo-Si-C三元系組元化學勢穩(wěn)定性相圖

收集了Mo-Si-C三元系在1 200 ℃和1 600 ℃下各組元和化合物的熱力學數(shù)據(jù). 估算了Mo-Si-C三元系中三元相T(Mo5Si3C)在1 200 ℃和1 600 ℃下的Gibbs生成自由能, 分別為-883.1 kJ/mol和-1 112.7 kJ/mol, 此數(shù)據(jù)乃首次報道. 利用Mo-Si-C三元系在該溫度下的平衡相圖以及收集和計算的該三元系的熱力學數(shù)據(jù), 計算了該三元系中各組元的化學勢,并作出了相應的化學勢穩(wěn)定性相圖. 該相圖結合平衡相圖和熱力學、動力學、物質平衡原則, 可以從理論上分析和判斷固態(tài)置換反應原位合成MoSi2-SiC復合材料的反應路徑.

作 者： 甘國友 孫加林 陳敬超 陳永翀 嚴繼康   作者單位： 昆明理工大學材料與冶金工程學院,昆明,650093  刊 名： 硅酸鹽學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY  年，卷(期)： 2002 30(2)  分類號： O642  關鍵詞： 鉬-硅-碳三元系   平衡相圖   化學勢   化學勢穩(wěn)定性相圖  

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