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合成條件對(duì)硅基介孔分子篩結(jié)構(gòu)的影響

時(shí)間:2023-04-27 08:35:01 數(shù)理化學(xué)論文 我要投稿
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合成條件對(duì)硅基介孔分子篩結(jié)構(gòu)的影響

采用水熱法制備硅基介孔分子篩材料,較系統(tǒng)地考察了合成條件對(duì)其結(jié)構(gòu)的影響,并利用N2吸附、透射電鏡(TEM)等手段進(jìn)行了表征.研究發(fā)現(xiàn),隨著晶化溫度的升高,硅基介孔分子篩材料的平均孔徑在逐漸增大,而比表面先增大后減小,100 ℃晶化時(shí)比表面最大(905.60 m2/g);隨著晶化時(shí)間的延長,樣品的平均孔徑先增大后減小,比表面卻正好相反,晶化1 d時(shí)比表面是905.60 m2/g,晶化3 d時(shí)比表面降為788.91 m2/g;隨著焙燒溫度的升高比表面和孔徑均減小,表明高溫下焙燒易導(dǎo)致介孔結(jié)構(gòu)的塌陷.

作 者: 鄭修成 葉文豪 袁程遠(yuǎn) 蘇運(yùn)來 王向宇 ZHENG Xiu-cheng YE Wen-hao YUAN Cheng-yuan SU Yun-lai WANG Xiang-yu   作者單位: 鄭州大學(xué),化學(xué)系,河南,鄭州,450052;鄭州大學(xué),工業(yè)催化研究所,河南,鄭州,450052  刊 名: 信陽師范學(xué)院學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)  ISTIC PKU 英文刊名: JOURNAL OF XINYANG NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)  年,卷(期): 2007 20(2)  分類號(hào): O643.3  關(guān)鍵詞: 水熱合成   硅基介孔分子篩   N2吸附   透射電鏡  

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