中頻磁控濺射沉積AlNx薄膜原子力形貌

在不同的氮氣比例下,固定其他的放電條件,采用中頻磁控測射沉積技術(shù)在常溫下沉積AlNx薄膜.通過原子力顯微鏡研究了氮氣比例對AlNx薄膜形貌和薄膜表面均方根粗糙度的影響.

作 者： 牟宗信 王振偉 劉升光 趙華玉   作者單位： 大連理工大學(xué)三束材料改性國家重點實驗室  刊 名： 航空制造技術(shù)  ISTIC 英文刊名： AERONAUTICAL MANUFACTURING TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2007 ""(z1)  分類號： V2  關(guān)鍵詞： 磁控濺射   物理化學(xué)氣相沉積   氮化鋁  

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